高手教你優化內存設置
2020-10-26 22:22:11
供稿：網友
內存作為電腦的三大核心配件之一其重要性不言而喻，很多用戶也將改善內存性能作為提高配置整體性能一個重要手段。提到改善內存性能，大家首先想到的可能是增加內存容量、對內存進行超頻，部分硬件玩家還會想到通過優化內存參數改善內存性能。不過目前大部分用戶對于內存參數的定義和實際影響并不太了解，針對這一問題，筆者在本文中講重點為大家介紹內存參數的含義，同時通過實際測試讓大家了解內存參數對內存性能的影響，以及優化參數設置時的一些注意事項和技巧。
目前主流主板BIOS中常見的內存參數設置選項主要有以下幾種：CAS Latency Control（tCL）、RAS to CAS Delay（tRCD）、Row Precharge Timing （tRP）、Min RAS Active Timing（tRAS），部分主板還提供了Command Per Clock（CMD）選項。除了上述常見參數設置外，大部分主板的BIOS中還提供了內存高級參數設置，這些參數包括：Row to Row Delay（或RAS to RAS delay，tRRD）、Row Cycle Time（tRC）、Write Recovery Time（tWR）、Write to Read Delay（tWTR）、Refresh Period（tREF）等。需要提醒大家的是，不同主板廠商、不同品牌的BIOS在參數名稱上可能存在一定差異，但是對應的縮寫基本都是統一的。所以大家不用可以去記下參數的詳細名稱，只要記住對應的縮寫就可以了。
究竟這些參數的改變對內存的幫助有多大，而在超頻的時候，究竟采用哪個參數呢？相信就是高手也不能立刻回答這些問題。為了讓喜歡玩內存的朋友更加深入了解這些參數設置，我們就用評測數據來解開內存設置之謎。如果你自認是高手，那么以下的文章內容，你能不看嗎？
經過52硬件的測試和分析，我們可以對影響DDR2內存的諸多因素進行一個簡單的小結――在所有因素中，工作頻率對于DDR2內存影響最為突出。用戶比較關心的內存時序、CMD等參數對于內存性能也有一定影響，但與頻率變化相比影響要小一些。所以，對于追求內存性能的用戶而言，大家應該把提升內存頻率放在首位。找到一個相對合適的超頻頻率后，再通過調整內存參數對內存性能進行進一步的優化。
具體到內存參數調節，通過此前的測試中我們可以看到調節時序參數可以在一定程度上提升內存性能，但提升幅度只有1%-2%。在實際調節過程中，大家可以先將tCL、tRCD、tRP、tRAS幾大參數設定為較低的數值，如果內存出現不穩定的情況，我們再逐漸增加以上幾項參數的延遲設置。考慮到tCL參數對內存性能影響較大，建議先增加tRCD、tRP、tRAS，最后再增加tCL參數延時。
對于大家比較關心的1T/2T設置，它對性能的影響要比時序參數明顯一些，測試中內存在1T設置下性能有1%-3%左右的提升。不過在采用1T設置后，內存的穩定性大幅降低，超頻幅度也受到明顯制約。綜合考慮，筆者認為追求性能的玩家可以嘗試使用1T設置，但這必須是以不影響內存穩定性和超頻空間為前提的。如果用戶盲目追求使用1T設置而影響到系統的穩定性和內存的超頻能力，這種做法顯然得不償失。至于普通用戶，筆者認為最好不要去更改內存的1T/2T設置。
總而言之，如果用戶希望獲得更好的內存性能，那么最有效的辦法的就是適當提升內存頻率，這樣內存的性能提升也是最為顯著的。在對內存進行超頻后，如果大家還希望進一步優化內存性能，那么可以適當降低tCL、tRCD、tRP、tRAS以及CMD參數設置。不過在降低參數延遲的過程中如果內存出現不穩定的情況，那么大家就應該逐步增加參數延遲（特別是CMD參數），這樣才能兼顧性能和穩定性。最后，筆者為大家總結了內存性能優化的操作流程（如下所示），希望這些流程能夠幫助大家充分挖掘內存的性能：
在默認參數下對內存進行超頻，確定內存能夠穩定工作的超頻頻率，其間可適當增加內存電壓，但為了安全起見最好不要超過2.1V。（如果用戶不打算對內存進行超頻，只是想通過優化參數獲得更好的性能，可直接跳至第二步）。
1：將內存延時設置在較低的水平，比如DDR2-800內存可以設定為4-4-4-10，更高頻率內存可以設定為5-5-5-15。同時將CMD參數設置為1T，并利用測試軟件檢查內存是否能夠穩定工作。
2：假如降低參數延遲后內存出現不穩定的情況，建議首先將CMD參數調整為AUTO或2T，再使用軟件檢測內存的穩定性。
3：如果內存在2T或AUTO模式下仍然無法工作，用戶可將逐步提高tCL、tRCD、tRP、tRAS參數的延時設置。
4：對于tCL參數對內存性能影響較大，大家可以先增加tRCD、tRP、tRAS參數的延遲，最后再增加tCL參數延遲，直至內存能夠穩定工作為止
